최첨단 20nm 낸드 플래시 메모리 채택한 첫 번째 SSD 제품
240GB의 용량과 최고의 성능으로 HDD 시장 대체 기대

2012년 10월 30일 서울 - 인텔은 최첨단 20nm 낸드 플래시(NAND flash) 메모리 공정을 적용한 ‘인텔® SSD 335’시리즈를 출시한다고 밝혔다. 새로운 인텔 SSD 335 시리즈는 기존의 300 시리즈의 후속 버전으로, 업계에서 가장 작으면서도 고효율의 MLC(multi-level cell) 방식의 낸드 플래시를 사용한 것이 특징이다. SSD는 사용자에게 전반적인 PC성능 향상을 제공하며, 웹 서핑은 물론 영화 감상, 영상 채팅, 콘텐츠 제작 등 다양한 컴퓨팅 활동도 지원한다.

인텔 SSD 335 시리즈는 6Gb/s SATA 드라이브로 기존의 느린 HDD를 대신해 더욱 빠른 파일 및 프로그램 접속이 가능하다. 인텔 SSD 335는 240GB의 용량에 최대 500MB/s의 연속읽기(sequential read) 속도와 450MB/s의 연속쓰기(sequential write) 속도를 제공한다.

인텔 SSD 335 시리즈는 인텔과 마이크론의 합작사인 IMFT(IM Flash Technologies)에서 개발한 최첨단 20nm 낸드 플래시 메모리를 채택한 첫 번째 SSD이다. 지난 4월 발표된 20nm IMFT 낸드 플래시는 기존 아키텍처보다 과감한 셀 스케일링이 가능하도록 새로운 셀 구조를 사용하는 것이 특징이다. 업계 최초로 평면 셀 구조를 사용한 20nm 64Gb 낸드는 이전 25nm 세대와 동일한 성능과 안전성이 가능한 동시에 선행 공정 기술이 동반하는 문제점들을 해결했다. 평면 셀 구조는 첫 번째 Hi-K 메탈게이트 스택을 통합함으로써 기존 낸드 플로팅 게이트 셀(floating gate cell)의 스케일링 제약을 성공적으로 해결한 것이다.

인텔 비휘발성 메모리 솔루션 그룹 부사장 겸 총괄 매니저인 롭 크루크(Rob Crooke)는 “인텔 SSD 335는 Hi-K 메탈게이트 평면 셀 기술로 낸드 프로세스 스케일링 제약을 해결하고 최소 면적의 낸드 셀을 제공한다”면서, “기술 제약을 넘어서는 프로세스 개선을 통해 인텔은 SSD 기술 진보를 거듭해 나갈 것”이라고 밝혔다.

인텔 SSD 335 시리즈는 동급 최고의 성능을 제공한다. 4KB 랜덤 읽기/쓰기(IOPS) 측정에서 인텔 SSD 335 시리즈는 읽기 최대 42,000 IOPS, 쓰기 최대 52,000 IOPS를 기록했다. 이는 2.5인치 폼팩터의 9.5mm 두께의 케이스로 제공되며, 기존의 HDD를 대체할 수 있을 뿐만 아니라, 3년 간의 보증이 제공된다.

또한 인텔 SSD 구매 고객은 강력한 드라이브 성능과 함께 인텔® SSD 최적화 도구가 포함된 인텔® SSD 툴박스 및 최상의 상태를 유지할 수 있도록 마이크로소프트 윈도 사용자에게 운영, 정보 및 진단 툴 패키지를 제공하는 무료 유틸리티를 이용할 수 있다. 11개 언어로 이용 가능한 인텔® SSD 툴박스는 윈도8과 호환 가능하다. 설치 과정을 돕기 위해 모든 인텔SSD 사용자는 기존에 사용하던 SSD나 HDD의 전체 콘텐츠를 인텔 SSD로 복제할 수 있는 무료 인텔® 데이터 마이그레이션 소프트웨어를 http://www.intel.com/go/ssdinstallation에서 다운로드 할 수 있다.

인텔 SSD에 대한 더 많은 정보는 www.intel.com/go/ssd 또는 인텔 SSD 트위터(@intelssd), 페이스북(www.intel.com/go/ssdfacebook 또는 communities.intel.com)을 참고하면 된다.