인텔이 업계를 선도하는 기술인 인텔 14 나노미터(nm) 제조공정에 최적화된 최신 마이크로아키텍처를 공개했다. 이 기술들은 클라우드 컴퓨팅과 사물인터넷을 위한 인프라스트럭처 및 퍼스널 및 모바일 컴퓨팅에 이르는 광범위한 범위의 컴퓨팅 요구사항과 제품들을 뒷받침하기 위해 고성능과 저전력 역량을 함께 제공할 것으로 전망되고 있다.

 

인텔 부사장 겸 제품 개발 총괄 매니저 라니 보카르(Rani Borkar)는 "인텔의 설계 전문성과 최고의 제조 공정의 조합인 인텔의 통합 모델은 고객과 소비자들에게 더 나은 성능과 더 낮은 전력을 제공할 수 있게 한다"며, "이 새로운 마이크로아키텍처는 뛰어난 기술적 성과 그 이상을 의미하며, 고객의 요구사항에 맞추어 설계를 최적화하는 인텔의 아웃사이드-인(outside-in) 디자인 철학의 중요성을 보여준다"고 말했다.

 

인텔 기술 및 제조 그룹의 선임 연구원 겸 프로세스 아키텍처 및 통합 이사인 마크 보어 (Mark Bohr)는 "인텔의 14 나노미터 기술은 업계 최고의 성능, 전력, 집적도 및 트랜지스터 당 비용을 제공하는 2 세대 트라이게이트(Tri-gate) 트랜지스터를 사용한다"며, "무어의 법칙에 대한 인텔의 투자와 노력은 우리 팀이 새로운 공정을 달성할 수 있었던 핵심"이라고 덧붙였다.

- 인텔은 14nm를 적용한 첫 제품인 인텔 코어 M 프로세서의 마이크로아키텍처 공개

- 새로운 마이크로아키텍처와 제조공정의 조합은 더 얇고, 조용하며, 낮은 발열의 새로운 폼팩터와 경험, 시스템의 혁신을 이끌어낼 것

- 인텔의 설계자와 칩 디자이너들은 이전 세대 프로세서 대비 비슷한 성능과 향상된 배터리 수명을 제공하면서, 열설계 부분에서는 두 배 이상의 절감 달성

- 새로운 마이크로아키텍처는 14nm 제조 공정의 새로운 역량들을 활용하기 위해 최적화 됨

- 인텔은 세계 최초로 14nm 기술을 대량으로 생산하고 있으며, 업계 선도 수준의 성능, 전력, 집적도 및 트랜지스터 당 비용의 2 세대 트라이게이트(FinFET) 트랜지스터를 사용

- 인텔의 14nm 기술은 서버, 개인용 컴퓨팅 디바이스와 사물인터넷 등 다방면에서 뛰어난 성능과 저전력 제품을 생산하기 위해 사용될 것

- 인텔 코어 M 프로세서 기반의 첫번째 시스템은 홀리데이 시즌에 선보일 예정이며 2015년 상반기에 확산될 예정

- 브로드웰(Broadwell) 마이크로아키텍처와 14nm 공정 기술을 기반으로 한 추가 제품들은 추후 공개 예정